Shunt vs. Hall-Sensoren: Hochbandbreiten-EV-Batterietelemetrie

Vergleichende Analyse von Störfestigkeit, thermischer Drift, Frequenzgang und Kernsättigung bei 1200A-Inverterpulsen.

Magnetische Hysterese bei schnellen Beschleunigungszyklen

Hall-Sensoren leiden nach Hochstrom-Beschleunigungen unter magnetischer Remanenz, was zu bis zu 1,5 % Drift bei der SoC-Schätzung führt.

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